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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟

DS3030W 3.3V单芯片256kb非易失SRAM,集成RTC

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主要特征

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 复位输出可用作CPU监控电路
  • 中断输出可用作CPU看门狗定时器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用/用途

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

描述

DS3030W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时,对ML电池进行充电,同时为时钟和SRAM供电,此时允许修改时钟寄存器和SRAM的内容。一旦VCC掉电或超出容限范围,控制器将对存储器内容加以写保护,并由电池为时钟和SRAM供电。DS3030W还带有一个电源监视器输出(/RST)和用户可编程中断输出(/IRQ/FT)。

简化框图

DS3030W:典型工作电路 DS3030W:典型工作电路 Zoom icon

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