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耐γ辐射1-Wire存储器

低成本鉴定或校准方案,适用于单触点操作的医用传感器及其附件

产品详情

主要特征

应用/用途

Parametric specs for Secure Authenticators
End Equipment Medical Consumable ID
Bus Type 1-Wire
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Oper. Temp. (°C) -40 to +85
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87
Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
End Equipment Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Bus Type 1-Wire
VSUPPLY (V) (min) 2.97
VSUPPLY (V) (max) 3.63
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
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0.87
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Parametric specs for Secure Authenticators
End Equipment Medical Consumable ID
Bus Type 1-Wire
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Oper. Temp. (°C) -40 to +85
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
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0.87
Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
End Equipment Gamma Sterilization
Medical Consumable ID
Memory Type EEPROM
Memory Size 2K x 1
Bus Type 1-Wire
VSUPPLY (V) (min) 2.97
VSUPPLY (V) (max) 3.63
Package/Pins TDFN HYBRID/6
Budgetary
Price (See Notes)
0.87

主要特征

  • 高耐γ辐射能力,允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
    • 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
    • 可重编程248字节用户存储器
  • 较小的存储块大小,用户存储器编程较灵活
    • 存储器分为8字节存储块
    • 每个存储块可写8次
    • 每个存储块均提供用户可编程写保护
  • 高级1-Wire协议,将接口减小为单触点
  • 紧凑的封装和单IO接口,减小电路板空间,增强可靠性
    • 唯一的工厂编程64位识别码
    • 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
    • 工作范围:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,读操作;0°C至+50°C,写操作
    • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
    • 6引脚TDFN封装

应用/用途

  • 鉴定和校准医疗工具/附件
  • 医用消费品鉴定

描述

DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保护,每个存储块可写8次。DS28E80通过单触点1-Wire®总线进行标准速率或高速率通信。每片器件都拥有唯一的64位识别码,由工厂写至芯片。通信符合1-Wire协议,在多器件的1-Wire网络中,64位识别码作为节点地址。

我们的“安全给药”视频介绍如何利用Maxim安全产品保证远程给药安全。

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DS28E80: Typical Operating Circuit DS28E80: Typical Operating Circuit Zoom icon

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