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3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM

业内首款、也是唯一的单芯片、可回流焊接的NV SRAM模块

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主要特征

  • 单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • 当VCC超出容限后,无条件对SRAM实施写保护
  • 当VCC失效后自动切换至电池供电
  • 内置电源监视器检测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用/用途

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机PLC
  • 工业控制器
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

描述

DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM,该器件包括静态RAM (SRAM),NV控制器,以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加电时,模块对ML电池充电,同时使用外部电源为SRAM供电,并允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时,控制器立即对SRAM的内容实施写保护,并由电池为SRAM供电。DS2070W还含有一个电源监视器输出(/RST),可用于微处理器(CPU)监控。

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