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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

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主要特征

  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件进行写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用/用途

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

描述

DS2045W是1Mb,可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045W还含有电源监控输出,/RST指示,可用作微处理器的CPU监视器。

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