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3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

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主要特征

  • 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • VCC超出容限范围后,对SRAM进行无条件的写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控电路,检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用于CPU监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用/用途

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

描述

DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模块的VCC上电后,ML电池开始充电,SRAM由外部电源供电,可以修改SRAM内容。VCC断电或超出容限范围时,控制器对SRAM的内容进行写保护,并由电池对SRAM供电。DS2045L还带有电源监测输出、/RST指示,复位输出可用于CPU监控功能。

简化框图

DS2045L:典型工作电路 DS2045L:典型工作电路 Zoom icon

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