回到顶部
Maxim Confidential 
MyMaxim 订阅
主要特征
- 单片，可回流焊，27mm x 27mm BGA封装
- 内部ML电池和充电器
- VCC超出容限后，对SRAM无条件写保护
- VCC电源失效后，自动切换到电池供电
- 内部电源监控，检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
- 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
- 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
应用/用途
- 数据采集系统
- 烟雾报警器
- 游戏机
- 工业控制器
- PLC
- POS终端
- RAID系统和服务器
- 路由器/交换机
描述
DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM，由一个静态RAM (SRAM)，一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中，采用256焊球BGA封装。模块VCC上电后，ML电池开始充电，SRAM由外部电源供电，SRAM内容可修改。VCC断电或超出容限时，控制器对SRAM的内容进行写保护，并由电池对SRAM供电。DS2045有两种版本，分别提供5%和10%的电源监控跳变点。DS2045还具有一个电源监控输出，/RST指示，可用作微处理器的CPU监视器。
技术文档
| 数据资料 | 单芯片、1M非易失SRAM | Oct 16, 2006 | |
| 应用笔记 | Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块 |
询价申请