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3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

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主要特征

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后,无条件地对SRAM加以写保护
  • VCC电源失效时,自动切换至电池供电
  • 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监控器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

应用/用途

  • 数据采集系统
  • 烟雾报警器
  • 游戏机
  • 工业控制器
  • PLC
  • POS终端
  • RAID系统和服务器
  • 路由器/交换机

描述

DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表面贴模块中。当VCC加在模块上时,它即对ML电池充电,SRAM也由外部电源来供电,同时允许修改SRAM的内容。当VCC掉电或超出容限时,控制器对SRAM的内容写保护,同时改由电池对SRAM供电。DS2030L还含有一个电源监视输出,/RST,可用作微处理器的CPU监控器。

简化框图

DS2030L:典型工作电路 DS2030L:典型工作电路 Zoom icon

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