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iButton 1024位EEPROM

EPROM仿真模式,用于保护数据不被意外擦除

产品详情

iButton® 256位EEPROM (DS1972)是一款1024位的1-Wire® EEPROM芯片,采用坚固的iButton封装。数据先被写入一个8字节暂存器,经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。DS1972通过一条1-Wire总线进行通信,采用标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列号,由工厂光刻写入芯片。在一个多节点1-Wire网络环境下,该序列号可以用作器件地址。

主要特征

  • 1024位EEPROM存储器,分成四个页面,每页256位
  • 独立的存储页面,可以被永久写保护或进入EPROM仿真模式(“改写为0”)
  • 切换点滞回与滤波可以优化噪声指标
  • IEC 1000-4-2 4级ESD保护(±8kV接触放电、±15kV气隙放电模式)
  • -40°C至+85°C温度范围内,可在2.8V至5.25V工作电压下进行读、写操作
  • 按照1-Wire协议,以15.4kbps或125kbps速率通过一条数字信号线与主机通信

应用/用途

  • 门禁控制/停车计费表
  • 库存控制
  • 保持/监测数据存储
  • 工具管理
  • 工作流程跟踪
Parametric specs for iButton Products
Technology iButton
Applications Asset Management
Memory Type EEPROM
Memory Size 1K bits
Unique Ware No
Real Time Clock No
Budgetary
Price (See Notes)
$2.73 @1k
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Parametric specs for iButton Products
Technology iButton
Applications Asset Management
Memory Type EEPROM
Memory Size 1K bits
Unique Ware No
Real Time Clock No
Budgetary
Price (See Notes)
$2.73 @1k

主要特征

  • 1024位EEPROM存储器,分成四个页面,每页256位
  • 独立的存储页面,可以被永久写保护或进入EPROM仿真模式(“改写为0”)
  • 切换点滞回与滤波可以优化噪声指标
  • IEC 1000-4-2 4级ESD保护(±8kV接触放电、±15kV气隙放电模式)
  • -40°C至+85°C温度范围内,可在2.8V至5.25V工作电压下进行读、写操作
  • 按照1-Wire协议,以15.4kbps或125kbps速率通过一条数字信号线与主机通信

应用/用途

  • 门禁控制/停车计费表
  • 库存控制
  • 保持/监测数据存储
  • 工具管理
  • 工作流程跟踪

描述

iButton® 256位EEPROM (DS1972)是一款1024位的1-Wire® EEPROM芯片,采用坚固的iButton封装。数据先被写入一个8字节暂存器,经校验后复制到EEPROM存储器。该器件的特点是四个存储页面相互独立,可以单独进行写保护或进入EPROM仿真模式,在该模式下,所有位的状态只能从1变成0。DS1972通过一条1-Wire总线进行通信,采用标准的1-Wire协议。每个器件都有不能更改的、唯一的64位ROM序列号,由工厂光刻写入芯片。在一个多节点1-Wire网络环境下,该序列号可以用作器件地址。

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