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4096k非易失SRAM,带有电池监测器

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主要特征

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 70ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1350Y)或±5% VCC工作范围(DS1350AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有NV SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

应用/用途

描述

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外,DS1350器件具有监视VCC状态和内部锂电池状态的专用电路。PowerCap模块封装的DS1350器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。可用来替代512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存器件。

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DS1350AB、DS1350Y:引脚分配 DS1350AB、DS1350Y:引脚分配 Zoom icon

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