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3.3V、8Mb非易失SRAM

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主要特征

  • 在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

应用/用途

描述

DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

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DS1265W:引脚分配 DS1265W:引脚分配 Zoom icon

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