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4096k非易失SRAM

产品详情

主要特征

Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Memory Type NV SRAM
Memory Size 512K x 8
Bus Type Parallel
VSUPPLY (V) (min) 4.75
VSUPPLY (V) (max) 5.25
Package/Pins MOD/32
Budgetary
Price (See Notes)
63.52
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参量

Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Memory Type NV SRAM
Memory Size 512K x 8
Bus Type Parallel
VSUPPLY (V) (min) 4.75
VSUPPLY (V) (max) 5.25
Package/Pins MOD/32
Budgetary
Price (See Notes)
63.52

主要特征

  • 无外部电源时最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
  • 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
  • 可选的工业级温度范围:-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸

应用/用途

描述

DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态RAM,符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。 PowerCap模块封装的DS1250器件为表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

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DS1250AB、DS1250Y:引脚分配 DS1250AB、DS1250Y:引脚分配 Zoom icon

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