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64K非易失SRAM

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主要特征

技术文档

数据资料 64K非易失SRAM Nov 02, 2010
应用笔记 NV SRAM Device Programmers
应用笔记 非易失存储器的替代规则

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主要特征

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 150ns的读写时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND

应用/用途

描述

DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

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