Maxim
›
产品
›
存储器产品
›
DS1220AD

DS1220AD

16k非易失SRAM

下载数据手册
订阅

点击查看特定型号的库存状况。

概述

说明

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
DS1220AB、DS1220AD：引脚分配 DS1220AB、DS1220AD：引脚分配 放大+

关键特性

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的24引脚DIP封装
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1220AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

参数规格

Part NumberMemory TypeMemory SizeBus TypeVSUPPLY
(V)		VSUPPLY
(V)		Package/PinsBudgetary
Price
minmaxSee Notes
DS1220AB NV SRAM2K x 8Parallel4.755.25
MOD/24
$8.58 @1k
DS1220AD 4.55.5
MOD/24
$8.45 @1k
查看所有Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM) (47)
Pricing Notes:
价格仅供参考，用于同类产品的比较。所提供报价为美元，需要依汇率折合成人民币。该价格将因当地关税、税率和汇率而异。有关特定订购量和指定版本的报价和供货问题，请参考：价格与供货网站或与指定代理商联系。

设计资源

技术资料

应用笔记 5013 Maxim产品中的内嵌锂电池
应用笔记 4893 非易失存储器的替代规则
应用笔记 4289 Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM
应用笔记 4006 NV SRAM Device Programmers
应用笔记 3759 Timing Considerations When Using NVSRAM
应用笔记 1066 Tech. Brief 39: NV SRAM Cross Reference Table
应用笔记 202 NV SRAM Frequently Asked Questions

质量和环境数据

申请可靠性报告: DS1220AD 
无铅封装的锡（Sn）晶须报告

其它资源

UL认证

质量与环境

型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

备注： 通过技术手段对故障率进行汇总，并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

质量管理体系 >
环境管理体系 >

订购

 
Status:
Package:
Temperature:

相关资料

技术文档