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主要特征

Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Memory Type NV SRAM
Memory Size 2K x 8
Bus Type Parallel
VSUPPLY (V) (min) 4.75
VSUPPLY (V) (max) 5.25
Package/Pins MOD/24
Budgetary
Price (See Notes)
8.58
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参量

Parametric specs for Memory (EPROM, EEPROM, ROM, NV SRAM)
Memory Type NV SRAM
Memory Size 2K x 8
Bus Type Parallel
VSUPPLY (V) (min) 4.75
VSUPPLY (V) (max) 5.25
Package/Pins MOD/24
Budgetary
Price (See Notes)
8.58

主要特征

  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的24引脚DIP封装
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1220AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND

应用/用途

描述

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。 NV SRAM可以用来直接替代现有的2k x 8 SRAM,符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。器件还与2716 EPROM及2816 EEPROM的引脚排列匹配,可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

简化框图

DS1220AB、DS1220AD:引脚分配 DS1220AB、DS1220AD:引脚分配 Zoom icon

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