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Maxim的存储器产品包括专用的存储器,其中代表性产品有1-wire接口以及静态RAM和非易失RAM控制器。

1-Wire存储器产品通过单触点串行接口提供存储器、混合信号电路以及安全认证等功能。NVSRAM器件具有较快读/写速度以及SRAM的耐用性,又兼具非易失多种存储器配置和封装选项的便利性。NVRAM控制器将CMOS RAM转换为非易失存储器,同时可选择集成时钟功能。

New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables

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器件号 标题 文件类型 日期

DS2485 高级1-Wire®主机,带存储器

DS2485为1-Wire®主机,执行I2C主机和连接的任何1-Wire从机之间的协议转换。对于1-Wire线驱动,芯片内部的用户可调定时器将系统主处理器从繁琐的1-Wire波形时序控制中解放...
  • I2C通信,高达1MHz
  • 1-Wire标准和高速通信速率
  • 1-Wire命令脚本能力
  • 可调节1-Wire定时,支持tRSTL、tMSI、tMSP、tRSTH、tW0L、tW1L、tMSR、 tREC、RPUP和PDSLEW
  • 0.75Kb用户数据EEPROM
  • 1个开漏GPIO引脚
  • 1-Wire缓冲器(126字节),支持有效数据传输
  • 工作范围:2.97V至3.63V,-40°C至+85°C
  • 3mm x 3mm、6引脚TDFN-EP封装

DS2485EVKIT Evaluation Kit for the DS2485

The DS2485 evaluation (EV) kit provides the hardware and software necessary to exercise the feat...
DS2433 4K位1-Wire EEPROM

DS2433 4K位1-Wire EEPROM

DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM,用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的接口访问,例如微控制器的一个端口引脚。DS2433带有一个由工厂刻度的...
  • 4096位、电擦除、可编程只读存储器(EEPROM)
  • 唯一的、由工厂光刻和检验的64位注册码(8位家族码 + 48位序列码 + 8位CRC校验码)保证每个器件绝对可识别,没有任何两个器件相同
  • 内置的多结点控制器保证兼容于其它MicroLAN产品
  • 存储器划分为16个256位存储页,以便分组存放数据
  • 256位暂存器,具有严格的读/写协议,保证数据传输的完整性
  • 将控制、寻址、数据和供电缩减到单条数据引脚上
  • 可直接连接至微处理器的单个端口,通信速率高达16.3kbps
  • 过驱动模式提升通信速度至142kbps
  • 8位家族码通知读写器按照DS2433要求进行通信
  • 当阅读器首次上电时进行在线检测应答
  • 低成本PR-35、SFN、倒装片或8引脚SO表面贴装封装
  • 允许在2.8V至6.0V的宽电压范围内和-40°C至+85°C温度范围下进行读写操作

DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM

DS24B33是一款4096位1-Wire® EEPROM,存储器分为16页,每页256位。数据先写入32字节暂存器,经验证后拷贝到EEPROM存储器。DS24B33通过1-Wire总线通信,...
  • 4096位非易失EEPROM划分为16个256位存储页
  • 读、写操作向下兼容于DS2433
  • 256位暂存器采用严格的读/写协议操作,保证数据传输完整性
  • 唯一的、由工厂编程的64位注册码保证器件选择无误,确保每个器件绝对识别
  • 切换点滞回可以在嘈杂环境下获得最佳性能
  • 通过1-Wire协议以15.4kbps或125kbps与主机通信
  • 低成本插装和SMD封装
  • 工作范围:+2.8V至+5.25V,-40°C至+85°C
  • IO引脚具有IEC 1000-4-2 4级ESD保护(±8kV接触放电模式、±15kV气隙放电模式,典型值)
DS1225AB 64k非易失SRAM

DS1225AB 64k非易失SRAM

DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1225AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1225AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
DS1230Y 256k非易失SRAM

DS1230Y 256k非易失SRAM

DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1230Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1250Y 4096k非易失SRAM

DS1250Y 4096k非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否...
  • 无外部电源时最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
  • 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
  • 可选的工业级温度范围:-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1250AB 4096k非易失SRAM

DS1250AB 4096k非易失SRAM

DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否...
  • 无外部电源时最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM及闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1250Y)
  • 可选择的±5% VCC工作范围(DS1250AB)
  • 可选的工业级温度范围:-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1245Y 1024k非易失SRAM

DS1245Y 1024k非易失SRAM

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VC...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1245Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1245AB)
  • 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C,指定为IND
  • JEDEC标准的32引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1961S 带有SHA-1引擎的iButton 1Kb EEPROM

DS1961S 带有SHA-1引擎的iButton 1Kb EEPROM

DS1961S在坚固的iButton®器件内集成了1024位EEPROM、64位密钥、一个8字节的寄存器/控制页(其中包含五个用户读/写字节)、512位SHA-1引擎和一个全功能的1-Wire...
  • 1128位5V EEPROM存储器,分为四页,每页256位,64位只写密钥和多达5个通用的读/写寄存器
  • 写访问需要知道密钥,并且能够计算和传送160位MAC,以便鉴别真伪
  • 可以对密钥和数据存储器加写保护(所有页或者仅第0页),或者将它们置于EPROM仿真模式("write to 0", 第1页)
  • 内置512位SHA-1引擎用于计算160位信息认证码MAC,并生成密钥
  • 工作温度-40°C至+85°C,读写电压范围为2.8V至5.25V
  • 使用1-Wire协议,通过单根数据线与主机进行数据通信,传输速率可达14.1kbps
  • 内置16位CRC循环冗余码发生器,用于数据的安全传输
  • 高速模式提高通信速率至125kbps
  • 工作温度范围-40°C至+85°C
  • 85°C时,数据保存至少10年
iButton共性
  • 唯一的、由工厂激光刻制和测试的64位注册号(8位家族码 + 48位序列号 + 8位CRC校验码),没有任何两个器件相同,保证绝对可溯
  • 用于1-Wire网络的多节点控制器
  • 短时间接触实现数字识别和信息获取
  • 基于芯片的数据载体提供了一种紧凑的存储信息方案
  • 可以安装在某一物体上并读取数据
  • 钮扣外形使其可以自动对准杯状检测器
  • 外刻注册号的不锈钢壳体能够经受住恶劣的环境
  • 安装方便,可以使用自带粘性的背垫、固定其凸缘或利用压紧其边缘的圆环锁定
  • 当读取器首次上电时,在线检测应答
DS1225AD 64k非易失SRAM

DS1225AD 64k非易失SRAM

DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1225AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1225AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
DS1220AB 16k非易失SRAM

DS1220AB 16k非易失SRAM

DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的24引脚DIP封装
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1220AD)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1220AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
DS1230AB 256k非易失SRAM

DS1230AB 256k非易失SRAM

DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 70ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1230Y)
  • 可选择±5% VCC工作范围(DS1230AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

DS28E05 1-Wire EEPROM

DS28E05是一款112字节用户可编程EEPROM芯片,分为7页,每页16字节。存储器页通过保护字节可单独设置为写保护或者EPROM仿真模式。每个器件都带有唯一的64位ROM注册码(ROM ...
  • 单触点1-Wire接口
  • 112字节用户EEPROM,具有1K次写循环
  • 用户存储器可编程为写保护以及OTP EPROM仿真模式
  • 唯一、工厂编程的64位ROM ID
  • 与主机通信速率高达76.9kbps (仅高速模式)
  • 工作范围:3.3V ±10%, -40°C至+85°C
  • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
  • 3引脚SOT23和6引脚TSOC封装

DS28E36EVKIT DS28E36/DS2476评估板

DS28E36评估系统(EV系统)提供评估DS28E36和DS2476必需的硬件和软件。评估系统包括5片6引脚TDFN封装DS28E36/DS2476、1片评估TDFN接口板的DS9121AQ...
  • 演示DS28E36 DeepCover®安全认证器的特性
  • 演示DS2476 DeepCover安全协处理器的特性
  • 记录I2C和1-Wire通信日志,帮助固件设计师理解DS2476和DS28E36
  • USB至I2C/1-Wire适配器可在任意PC上创建虚拟COM端口
  • 完全兼容USB规范v2.0
  • 软件可在Windows 10、Windows 8和Windows 7 (64位和32位版本)上运行
  • 3.3V ±3% 1-Wire工作电压
  • 便利的板载测试点和TDFN插座
  • 根据申请提供评估软件
  • 经过验证的PCB布局
  • 完全装配并经过测试

DS28E80 耐γ辐射1-Wire存储器

DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户存储器,分成8字节大小的存储块,每个存储块可具有写保...
  • 高耐γ辐射能力,允许用户在医疗灭菌之前进行编程制造或校准数据
    • 承受高达75kGy (千戈瑞) γ辐射
    • 可重编程248字节用户存储器
  • 较小的存储块大小,用户存储器编程较灵活
    • 存储器分为8字节存储块
    • 每个存储块可写8次
    • 每个存储块均提供用户可编程写保护
  • 高级1-Wire协议,将接口减小为单触点
  • 紧凑的封装和单IO接口,减小电路板空间,增强可靠性
    • 唯一的工厂编程64位识别码
    • 1-Wire标准速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
    • 工作范围:3.3V ±10%,-40°C至+ 85°C,读操作;0°C至+50°C,写操作
    • IO引脚具有±8kV HBM ESD保护(典型值)
    • 6引脚TDFN封装

DS1977 iButton 32K字节EEPROM

iButton® 32KB EEPROM (DS1977)为数据的只读和完全访问提供密码保护。数据以1-Wire®协议串行传输,仅需要单根数据线和返回地线。每个DS1977都由工厂光刻了一个保...
特性
  • 32K字节EEPROM以每页64字节的页面存放
  • 可选的保护口令,读取和完全访问具有不同的64位口令
  • 使用1-Wire协议,通过单根数据线,以最高15.3kbps的标准速度或最高125kbps的过驱动模式与主机通信
  • 工作范围:2.8V至5.25V,-40°C至+85°C
  • 最少100k次写循环
  • 内置的15kV ESD保护
iButton共性
  • 唯一的、由工厂光刻和测试的64位注册号,没有任何两个器件相同,保证了器件选择无差错以及绝对可溯性
  • 内置的多节点控制器实现1-Wire网络
  • 基于芯片的数据载体存储数字标识和信息,采用坚固的不锈钢封装
  • 附着到目标物体上后仍可存取数据
  • 纽扣外形很容易和杯状探头自行对准
  • 利用自粘胶垫、凸缘栓锁或环扣很容易将其固定
  • 读取器首次上电时进行在线检测应答