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Maxim的存储器产品包括专用的存储器,其中代表性产品有1-wire接口以及静态RAM和非易失RAM控制器。

1-Wire存储器产品通过单触点串行接口提供存储器、混合信号电路以及安全认证等功能。NVSRAM器件具有较快读/写速度以及SRAM的耐用性,又兼具非易失多种存储器配置和封装选项的便利性。NVRAM控制器将CMOS RAM转换为非易失存储器,同时可选择集成时钟功能。

New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables

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器件号 Title 文件类型 Date

DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM
DS24B33是一款4096位1-Wire® EEPROM,存储器分为16页,每页256位。数据先写入32字节暂存器,经验证后拷贝到EEPROM存储器。DS24B33通过1-Wire总线通信,...
  • 4096位非易失EEPROM划分为16个256位存储页
  • 读、写操作向下兼容于DS2433
  • 256位暂存器采用严格的读/写协议操作,保证数据传输完整性
  • 唯一的、由工厂编程的64位注册码保证器件选择无误,确保每个器件绝对识别
  • 切换点滞回可以在嘈杂环境下获得最佳性能
  • 通过1-Wire协议以15.4kbps或125kbps与主机通信
  • 低成本插装和SMD封装
  • 工作范围:+2.8V至+5.25V,-40°C至+85°C
  • IO引脚具有IEC 1000-4-2 4级ESD保护(±8kV接触放电模式、±15kV气隙放电模式,典型值)
DS28E25EVKIT Evaluation System for the DS28E25 and DS2465
The DS28E25 evaluation system (EV system) provides the hardware and software necessary to evalua...
DS2045Y 单芯片、1M非易失SRAM
DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
Product Image
DS2050W 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM
DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用...
  • 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池与充电器
  • VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
  • 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
  • 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2045AB 单芯片、1M非易失SRAM
DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
Product Image
DS2045L 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模...
  • 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • VCC超出容限范围后,对SRAM进行无条件的写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控电路,检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用于CPU监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2045W 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM
DS2045W是1Mb,可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件进行写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2030W 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030W是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球B...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
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DS2030L 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM
DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表...
  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后,无条件地对SRAM加以写保护
  • VCC电源失效时,自动切换至电池供电
  • 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监控器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS28CN01EVKIT DS28CN01评估板/评估系统
DS28CN01评估系统(EV system)包括一个单个一个评估套件(EV kit),该套件由带有一个评估板(EV board)和Maxim CMAXQUSB命令模块组成。DS28CN01内...
  • 方便设置
  • 经过验证的PCB布局
  • 完整的评估板系统
  • 包含PC连接
  • 提供免费评估软件
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DS1350AB 4096k非易失SRAM,带有电池监测器
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM,按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 70ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级512k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1350Y)或±5% VCC工作范围(DS1350AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有NV SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
DS1225Y 64K非易失SRAM
DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM,按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的28引脚DIP封装
  • 150ns的读写时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
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DS1265W 3.3V、8Mb非易失SRAM
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC...
  • 在没有外部电源时下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • 100ns的读写存取时间
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围
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DS1220Y 16K非易失SRAM
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM,按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
  • 没有写次数限制
  • 低功耗CMOS操作
  • JEDEC标准的24引脚DIP封装
  • 100ns的读写存取时间
  • ±10%工作范围
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
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DS1345W 3.3V、1024k非易失SRAM,带有电池监测器
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VC...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 100ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
Product Image
DS1345AB 1024k非易失SRAM,带有电池监测器
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是...
  • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
  • 掉电期间数据被自动保护
  • 当VCC电压跌落时,电源监视器能够复位处理器、并在VCC上升期间持续保持处理器的复位状态
  • 电池监视器核查剩余电量
  • 100ns的读写存取时间
  • 没有写次数限制
  • 典型待机电流50µA
  • 可升级128k x 8 SRAM、EEPROM或闪存
  • 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
  • ±10% VCC工作范围(DS1345Y)或±5% VCC工作范围(DS1345AB)
  • 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND
  • PowerCap模块(PCM)封装
    • 表面贴装模块
    • 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
    • 所有NV SRAM器件提供标准引脚
    • 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸