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Maxim的存储器产品包括专用的存储器,其中代表性产品有1-wire接口以及静态RAM和非易失RAM控制器。

1-Wire存储器产品通过单触点串行接口提供存储器、混合信号电路以及安全认证等功能。NVSRAM器件具有较快读/写速度以及SRAM的耐用性,又兼具非易失多种存储器配置和封装选项的便利性。NVRAM控制器将CMOS RAM转换为非易失存储器,同时可选择集成时钟功能。

New Memories Breaking the Gamma Barrier for Medical Consumables

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器件号 标题 文件类型 日期

DS24B33 1-Wire 4Kb EEPROM

DS24B33是一款4096位1-Wire® EEPROM,存储器分为16页,每页256位。数据先写入32字节暂存器,经验证后拷贝到EEPROM存储器。DS24B33通过1-Wire总线通信,...
  • 4096位非易失EEPROM划分为16个256位存储页
  • 读、写操作向下兼容于DS2433
  • 256位暂存器采用严格的读/写协议操作,保证数据传输完整性
  • 唯一的、由工厂编程的64位注册码保证器件选择无误,确保每个器件绝对识别
  • 切换点滞回可以在嘈杂环境下获得最佳性能
  • 通过1-Wire协议以15.4kbps或125kbps与主机通信
  • 低成本插装和SMD封装
  • 工作范围:+2.8V至+5.25V,-40°C至+85°C
  • IO引脚具有IEC 1000-4-2 4级ESD保护(±8kV接触放电模式、±15kV气隙放电模式,典型值)

DS28E25EVKIT Evaluation System for the DS28E25 and DS2465

The DS28E25 evaluation system (EV system) provides the hardware and software necessary to evalua...
DS2065W 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM

DS2065W 3.3V、单芯片、8Mb非易失SRAM

DS2065W是8Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用...
  • 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池与充电器
  • VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
  • 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
  • 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2045Y 单芯片、1M非易失SRAM

DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2050W 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM

DS2050W 3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM

DS2050W是4Mb可回流焊的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器、内部可充电锰锂(ML)电池组成。这些元件可以封装在256焊球、BGA表贴模块中。只要VCC作用...
  • 单片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池与充电器
  • VCC超出容许范围时无条件写保护SRAM
  • 出现VCC电源故障时,自动切换到电池供电
  • 内置电源监视器,用来检测低于VCC标称值(3.3V)的电源故障
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2045AB 单芯片、1M非易失SRAM

DS2045是1Mb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2502EVKIT DS2502评估板

DS2502评估板可方便地对DS2502 1Kb只添加存储器进行性能评估、软件开发以及原型设计。评估板通过DS9123O USB适配器和RJ-11电缆与PC相连。附带的CD ROM里包含了评估...
  • 演示DS2502 1Kb只添加存储器的性能,包括:
    • 识别
    • EPROM存储器
  • 与运行Windows操作系统的PC通过USB口连接

DS2030Y 单芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BG...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2045L 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

DS2045L 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

DS2045L是1Mb、可进行回流焊接的非易失(NV) SRAM,由静态RAM (SRAM)、NV控制器和内部可充电锂锰(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封装。模...
  • 单芯片、可回流焊接的27mm x 27mm BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • VCC超出容限范围后,对SRAM进行无条件的写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控电路,检查电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用于CPU监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2045W 3.3V、单芯片、1Mb非易失SRAM

DS2045W是1Mb,可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块内,采用256焊球BGA封...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件进行写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2030W 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

DS2030W是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球B...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS2030L 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

DS2030L 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM

DS2030L是一款256kb、兼容回流焊工艺的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锂锰电池(ML)构成。这些元件封装在一个256球BGA表...
  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • VCC超出容限后,无条件地对SRAM加以写保护
  • VCC电源失效时,自动切换至电池供电
  • 内部电源监视器探测低于正常VCC (3.3V)的电源失效
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监控器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2070W 3.3V、单芯片、16Mb非易失SRAM

DS2070W是16Mb、可回流焊非易失(NV) SRAM,该器件包括静态RAM (SRAM),NV控制器,以及内置的可充电锂锰(ML)电池。该系列器件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块...
  • 单片、可回流、27mm x 27mm的BGA封装
  • 内置ML电池和充电器
  • 当VCC超出容限后,无条件对SRAM实施写保护
  • 当VCC失效后自动切换至电池供电
  • 内置电源监视器检测电源是否低于VCC额定值(3.3V)
  • 复位输出可用作微处理器(CPU)监控
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
DS3030W 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟

DS3030W 3.3V、单芯片、256kb非易失SRAM,带有时钟

DS3030W由静态RAM、非易失(NV)控制器、2000年兼容的实时时钟(RTC)和可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面贴装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时,对ML...
  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • VCC超出容限时将无条件写保护时钟和SRAM
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 复位输出可用作CPU监控电路
  • 中断输出可用作CPU看门狗定时器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS2030AB 单芯片、256k位非易失SRAM

DS2030是256kb, 可回流焊的非易失(NV) SRAM,由一个静态RAM (SRAM),一个NV控制器和一个内部可充电锰锂(ML)电池构成。这些元件封装在表贴模块中,采用256焊球BG...
  • 单片,可回流焊,27mm x 27mm BGA封装
  • 内部ML电池和充电器
  • VCC超出容限后,对SRAM无条件写保护
  • VCC电源失效后,自动切换到电池供电
  • 内部电源监控,检测电源是否低于标称VCC (5V)的5%或10%
  • 复位输出可用作微处理器的CPU监视器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)

DS28CN01EVKIT DS28CN01评估板/评估系统

DS28CN01评估系统(EV system)包括一个单个一个评估套件(EV kit),该套件由带有一个评估板(EV board)和Maxim CMAXQUSB命令模块组成。DS28CN01内...
  • 方便设置
  • 经过验证的PCB布局
  • 完整的评估板系统
  • 包含PC连接
  • 提供免费评估软件