MAX5078

4A、20ns、MOSFET驱动器

4A、20ns、MOSFET驱动器,采用3mm x 3mm TDFN功率封装,适用于结构紧凑的高频电源


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说明

MAX5078A/MAX5078B高速MOSFET驱动器可供出或吸收4A的峰值电流。这些器件在驱动5000pF容性负载时具有20ns的快速传输特性和20ns的上升、下降时间。传输延时最小,并在反相和同相输入之间保持匹配。较高的供出和吸收峰值电流能力、低传输延时和高热效封装使MAX5078A/MAX5078B十分适合高频和大功率电路。

MAX5078A/MAX5078B采用4V至15V单电源工作,没有开关操作时消耗电源电流仅40µA (典型值)。这些器件的内部逻辑电路可防止输出级发生穿通,在高开关频率下有助于降低工作电流。逻辑输入带有保护功能,防止电压高于+18V,而且与VDD电压无关。MAX5078A具有CMOS输入逻辑电平,MAX5078B则具有兼容于TTL电平的输入逻辑。

MAX5078A/MAX5078B提供反相输入和同相输入,对MOSFET的控制具有更大的灵活性。它们采用6引脚TDFN (3mm x 3mm)封装,工作在-40°C至+125°C汽车级温度范围。

MAX5078:典型工作电路 MAX5078:典型工作电路 放大+

关键特性

  • 4V至15V的单电源供电
  • 供出/吸入驱动峰值电流达4A
  • 20ns (典型值)传输延时
  • 反相和同相输入之间保持匹配延时
  • VDD / 2 CMOS (MAX5078A)/TTL (MAX5078B)逻辑输入
  • 0.1 x VDD (CMOS)和0.3V (TTL)逻辑输入滞回
  • +18V的逻辑输入(独立于VDD电压)
  • 低输入电容:2.5pF (典型值)
  • 40µA (典型值)的静态电流
  • -40°C至+125°C的工作温度范围
  • 6引脚TDFN封装
  • 应用

    • DC-DC转换器
    • 电机控制
    • 功率MOSFET开关
    • 电源模块
    • 开关模式电源

    质量和环境数据

    产品可靠性报告: MAX5078.pdf 
    无铅封装的锡(Sn)晶须报告

    工具和模型

  • MAX5078 PSPICE宏模型
  • CAD Symbols and Footprints

  • MAX5078BATT+
  • MAX5078BATT+T
  • 型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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