DS3050W

3.3V、单芯片、4Mb非易失SRAM,带有时钟


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说明

DS3050W由一个静态RAM、一个非易失(NV)控制器、一个2000年兼容的实时时钟(RTC)和一个内置的可充电锂锰(ML)电池组成。这些组件封装在一个表面安装的256焊球BGA模块中。VCC加在模块上时,它对ML电池进行充电,同时为时钟和SRAM供电,并允许修改时钟寄存器和SRAM内容。一旦VCC掉电或超出容限,控制器对存储器内容加以写保护,改由电池为时钟和SRAM供电。DS3050W还含有一个电源监视器输出(/RST)和一个用户可编程的中断输出(/IRQ/FT)。
DS3050W:典型工作电路 DS3050W:典型工作电路 放大+

关键特性

  • 单片、可回流焊、27mm x 27mm BGA封装
  • 内置锂锰电池和充电器
  • 集成实时时钟
  • VCC超出容限后无条件写保护时钟和SRAM
  • VCC失效后自动切换至电池供电
  • 复位输出可用作CPU监控
  • 中断输出可用作CPU看门狗定时器
  • 工业级温度范围(-40°C至+85°C)
  • 应用

    • 数据采集系统
    • 烟雾报警器
    • 游戏机
    • 工业控制器
    • PLC
    • POS终端
    • RAID系统和服务器
    • 路由器/交换机

    技术资料

    应用笔记 3693 Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块

    质量和环境数据

    产品可靠性报告: DS3050W.pdf 
    无铅封装的锡(Sn)晶须报告

    其它资源

    新品发布 2005-10-31
    型号   生产流程   工艺   样本量   不合格   FIT @ 25°C   FIT @ 55°C  

    备注: 通过技术手段对故障率进行汇总,并映射到相关的材料部件号。 故障率与被测件的数量密切相关。

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