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3.3V、设计灵活的非易失控制器,带有锂电池监测

简化四组非易失SRAM设计

产品详情

DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器,采用CMOS电路设计,用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测,判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限,将禁止芯片使能输出,完成写保护操作,并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺,以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM,可以采用三种存储器配置的任何一种。

除了支持电池备份外,DS1323还具备一个重要功能,可监测锂电池的剩余电量,在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定,需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压,实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下,电池将很快耗尽。此时,器件将触发电池报警引脚,发出需要更换电池的报警信号。

主要特征

  • 将CMOS SRAM转换成非易失存储器
  • 一旦VCC超出容限范围,将无条件进入SRAM写保护
  • VCC电源失效时,自动切换到后备电池
  • 灵活的存储器结构
    • 模式0:4组,每组1个SRAM
    • 模式1:2组,每组2个SRAM
    • 模式2:1组,每组4个SRAM
  • 监测锂电池电压,在电池将要失效时发出预警信号
  • 低电池电压条件下,触发低电平有效报警信号
  • 电源失效时,可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态
  • 10%电源失效检测
  • 工作在工业级温度范围:-40°C至+85°C

应用/用途

简化框图

DS1323: Functional Block Diagram DS1323: Functional Block Diagram Zoom icon

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参量

主要特征

  • 将CMOS SRAM转换成非易失存储器
  • 一旦VCC超出容限范围,将无条件进入SRAM写保护
  • VCC电源失效时,自动切换到后备电池
  • 灵活的存储器结构
    • 模式0:4组,每组1个SRAM
    • 模式1:2组,每组2个SRAM
    • 模式2:1组,每组4个SRAM
  • 监测锂电池电压,在电池将要失效时发出预警信号
  • 低电池电压条件下,触发低电平有效报警信号
  • 电源失效时,可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态
  • 10%电源失效检测
  • 工作在工业级温度范围:-40°C至+85°C

应用/用途

描述

DS1323设计灵活的非易失控制器带有锂电池监测器,采用CMOS电路设计,用于解决CMOS SRAM转换成非易失存储器的实际应用问题。对输入电源进行监测,判断电源电压是否超出容限范围。一旦监测到电源超出容限,将禁止芯片使能输出,完成写保护操作,并连通电池继续为SRAM供电。利用低漏电CMOS工艺,以极低的电池损率支持精确的电压监测。单片DS1323能够支持多达四个SRAM,可以采用三种存储器配置的任何一种。

除了支持电池备份外,DS1323还具备一个重要功能,可监测锂电池的剩余电量,在电池接近耗尽时发出报警信号。由于备份锂电池的开路电压在整个使用期限内保持相对稳定,需要精确测量带载情况下的电池电压。DS1323周期性地对比为内阻供电时的电池电压和适当的基准电压,实现电池监测。如果电池电压跌落到基准电压以下,电池将很快耗尽。此时,器件将触发电池报警引脚,发出需要更换电池的报警信号。

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