应用笔记 1210

具有双路或差分输出的晶体振荡器

许多应用中,常常需要一个高质量的频率源(即振荡器)。例如 无线手持设备中的本振(LO)、锁相LO中的参考频率、或者微处理器和数据采集系统中的主时钟源等。

对于一个系统设计者来说,频率的精度和稳定度是关键参数。精度关系到频率的初值,而稳定度则影响到频率的相位噪声(短期)和随温度及时间的漂移(长期)。对于一个晶体振荡器设计者来说,关键参数则只与谐振器本身有关:谐振频率、电抗和Q值。除相位噪声外,这些参数几乎仅与石英晶体有关。

要取得低相位噪声则依赖于谐振器和有源器件。谐振器应具有高Q值(大多数石英晶体具有相当高的Q值,在10,000至50,000之间)。有源器件应该具有低闪烁噪声和低噪声系数,而且它对谐振器的负载应该最小。这正是MAX2620所具备的特性:高频双极工艺所特有的低闪烁噪声、低噪声系数和低寄生rb,其内部有源器件对振荡器的负载极轻,使振荡电路保持了很高的带载Q值。图1所示为一个简单的晶体振荡器。

图1. 基于单振荡器IC的简易晶体振荡器,晶体谐振器X1示于图(b)。
图1. 基于单振荡器IC的简易晶体振荡器,晶体谐振器X1示于图(b)。

有源振荡器单元MAX2620的其它特性包括:提供一个缓冲放大器,能够尽可能地减小负载变化对振荡器频率的影响;+2.7V至+5.25V的工作电压范围;对电源变化不敏感的内部偏置;具有电源关断能力;可以配置为两个单端输出或一个差分输出的两个集电极开路输出。

选择晶体振荡器的首要指标通常为频率、初始频率精度和频率稳定性与温度和时间的关系。实际上,一个设计者应该注意晶体振荡器的中心频率、Q值、动态阻抗和负载容抗。这些参数使设计者能够计算出振荡电路外接电容的大小。

图1b中,晶体谐振器(X1)是Statek公司的表面贴装、基频模式的元件。其动态阻抗值可用来计算图1a中的C3和C4的大小,且应考虑最坏情况下的取值(最大)。在这种情况下,器件制造商指定最大动态阻抗为150Ω。为了振荡器启振,该值应该小于有源器件的输入负阻抗(RIN = -gmXC3XC4)的幅值;请参见图1a。实际应用中,它应该不足一半。所以,

gmXC3XC4 > 2R1MAX

这里,

gm是有源元件的跨导。这种情况中下,它等于18mS (18毫西门子)。

XC3是电容C3的阻抗(1/2πfC3)。

XC4是电容C4的阻抗(1/2πfC4)。

R1MAX (150Ω)是晶体谐振器最大动态电阻。

折衷并且取XC3 = XC4,则



在10MHz时,C3和C4的取值为(假设相等):

C3 = C4 = 1/2πfXC4 = 123.3pF

选择工业标准电容值120pF,跨接晶体谐振器的负载容抗等于C3和C4的串联:1/(1/C3 + 1/C4) = 60pF。为保证在期望的频率振荡,不管怎样,晶体振荡器必须接上一个特定的负载容抗(20pF)。这样通过将C3和C4降至40pF就可以实现,但是,结果会出现过大的增益(RIN + R1MAX),这将影响振荡器的噪声性能。优先选择的方法是引入一个30pF的串联电容以获得20pF的净负载容抗(C5,图1b完整电路所示)。

集电极开路输出引脚/OUT和OUT (引脚5和8)既可以提供一个差分输出,也可以提供两个单端输出。每个引脚能够吸收大约2.5mA的静态电流,且都需要上拉至VCC。无论是RF电感还是电阻均可以作为上拉,但是对于差分输出,每根线上应该采用相同的方式。注意,超过100Ω的电阻带来将过多的压降。对于50Ω的负载,RF电感上拉时,单端输出电平约为-6dBm (320mVP-P),而50Ω电阻上拉时,大约为-13dBm (140mVP-P)。

相似观点的文章发表在1998年4月期的Microwaves and RF

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